2023年4月24日下午14点，中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员应bg大游官网官方平台青联会的邀请，在东区bg大游官网官方平台B楼520报告厅进行了题为“AlGaN宽禁带半导体材料外延及深紫外LED器件研究”的精彩报告。参会人员包括bg大游官网官方平台青联会会长陈建国教授、杨伟光教授、黄璐副教授等和全校师生40余人参与。

陈建国教授首先对郭炜研究员来参加现场报告表达了诚挚的感谢，并向参会人员详细介绍了郭炜研究员的科研经历以及研究工作。郭炜研究员在报告中介绍了基于宽禁带半导体AlGaN材料的深紫外LED的研究进展与应用方向，并且针对AlGaN材料体系Al和Ga完全互溶、载流子局域化弱、III族氮化物不同极性面表面能、费米能、化学稳定性存在明显差异等问题，提出了相应的解决方案，并展示了团队目前所取得的学术成果。报告结束后，郭炜研究员与现场师生就具体学术问题进行了广泛且深入的探讨，最后学术活动在一片热烈的掌声中圆满结束。

附：郭炜研究员简介：

郭炜，研究员，博士生导师。本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗莱纳州立大学，曾任美国应用材料有限公司研发工程师，2016年加入中科院宁波材料所。长期从事第三代半导体（氮化物）材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金区创联合基金/面上/青年基金、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青等课题。在领域主流期刊中发表论文80余篇，引用1800余次(Google Scholar)。授权发明专利20余项，并担任《光子学报》青年编委。中科院青年创新促进会会员，并获得了宁波市领军人才、浙江省钱江人才称号。